半导体器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：在硅衬底的厚栅绝缘膜形成区域中选择性地蚀刻氮化膜和热氧化膜，其中在所述硅衬底上，与氮化膜一起形成热氧化膜，所述氮化膜形成在热氧化膜上，以及其中在所述STI形成区域中形成具有预定深度的沟槽；通过CVD方法在沟槽和厚栅绝缘膜形成区域中嵌入CVD氧化膜；以及在除了STI形成区域和厚栅绝缘膜形成区域之外的区域中，使用所述氮化膜作为阻挡层通过CMP方法对CVD氧化膜进行平坦化处理。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848408A
申请号 ：
CN200610059147.3
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田浩泰
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
关兆辉
优先权 ：
CN200610059147.3
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2008-12-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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