多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法
专利权的终止
摘要
一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金属制作在第一层氧化层上；第二层氧化层制作在第二层金属上；第三层金属制作在第二层氧化层上；第三层氧化层制作在第三层金属上；第四层金属位于顶层制作在第三层氧化层上；第一层金属和第二层金属接触、第二层金属和第三层金属接触、第三层金属和第四层金属接触作为脊形波导横向限制层，使光线被限制在脊形波导内。
基本信息
专利标题 ：
多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101034185A
申请号 ：
CN200610058659.8
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈弘达黄北举顾明刘海军
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610058659.8
主分类号 ：
G02B6/12
IPC分类号 ：
G02B6/12 G02B6/13
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2013-04-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101444717716
IPC(主分类) : G02B 6/12
专利号 : ZL2006100586598
申请日 : 20060306
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20120306
号牌文件序号 : 101444717716
IPC(主分类) : G02B 6/12
专利号 : ZL2006100586598
申请日 : 20060306
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20120306
2009-04-15 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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