温度控制系统和基板处理装置
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摘要
本发明的目的在于等离子体处理装置的多个部件的温度控制系统，减少其设置空间和冷却介质的使用量。温度控制系统(80)具有以通过上部电极(20)和基座(12)的内部的方式使盐水循环的循环系统(91)、在循环系统(91)的盐水和替代氟碳化合物之间进行热交换的热交换器(100)、向热交换器(100)供给替代氟碳化合物的冷冻机(92)。循环系统(91)具有通过上部电极(20)内部的第一分流管(111)、通过基座(12)内部的第二分流管(112)。在上部电极(20)和基座(12)的各分流管(111、112)上设置有加热盐水的加热器(121)。热交换器(100)被设置在净化室(R)内，冷冻机(92)被设置在效用室(B)。
基本信息
专利标题 ：
温度控制系统和基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832106A
申请号 ：
CN200610057728.3
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子健吾速水利泰
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610057728.3
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/20 H01L21/3065 H01L21/67 C23C14/54 C23C16/52 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-08-13 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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