伪静态随机存取存储器及操作控制方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种可操作于连续脉冲串模式中的伪SRAM(静态随机存取存储器)及控制其脉冲串模式操作的方法。依据根据本发明的可操作于连续脉冲串模式中的一种伪SRAM及控制其脉冲串模式操作的方法，基于接收一次的存取命令及外部地址信号而连续产生逐渐上升的脉冲串行地址信号及脉冲串列地址信号。因此，可在连续的脉冲串模式下执行数据的读取或写入操作。

基本信息

专利标题：

伪静态随机存取存储器及操作控制方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1873826A

申请号：

CN200610055099.0

公开（公告）日：

2006-12-06

申请日：

2006-03-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郑德柱

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

黄小临

优先权：

CN200610055099.0

主分类号：

G11C7/10

IPC分类号：

G11C7/10

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C7/10

输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器

法律状态

2018-03-20 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20170302

2009-12-23 ：

授权

2007-01-31 ：

实质审查的生效

2006-12-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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