本发明涉及一种利用Cu诱导硅片表面COP的测试装置及其测试方法，属于检测方法技术领域。其主要先将被测试硅片氧化，去除硅片背面氧化膜，将化学反应槽内装满甲醇溶液，依次放置铜板、硅片、铜板、电极，然后将盖子盖严，通过导线连接电极、铜板，并接通电源，用直流电在两极间通电，从化学反应槽中排出甲醇溶液，取出硅片，经干燥处理后测量硅片缺陷数量。本发明可精确地测试硅片里COP密度和分布，找出最佳单晶工艺条件，以好的灵敏度和伸缩性，高速度地对整个硅片进行测量，以此来提高器件产量和可靠性，器件成品率大幅提升。