一种获取肖特基二极管结参数的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要

本发明公开了一种获取肖特基二极管结参数的方法,它包括如下步骤:用等效电路来模拟肖特基势垒结;对肖特基势垒结的正向I-V曲线,用双指数函数解析式进行模拟,该双指数函数解析式中包含有反映肖特基势垒结特性和质量的结参数;通过对所述双指数函数解析式的转换和对相关实验数据的换算处理以获取所述结参数的值。本发明的结参数提取方法能为器件特性和参数的稳定性与退化研究提供实用可行的分析手段。利用结电流在不同区间对并联电阻和串联电阻的不同敏感程度,可以通过对I-V特性的定量分析来研究肖特基势垒结质量。本发明为研究和分析肖特基势垒结的质量和可靠性提供了一种新的实用可行的分析技术和手段。

基本信息
专利标题 :
一种获取肖特基二极管结参数的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101017192A
申请号 :
CN200610034222.0
公开(公告)日 :
2007-08-15
申请日 :
2006-03-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄云
申请人 :
信息产业部电子第五研究所
申请人地址 :
510610广东省广州市天河区东莞庄路110号
代理机构 :
广州三环专利代理有限公司
代理人 :
程跃华
优先权 :
CN200610034222.0
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01R31/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2009-10-21 :
发明专利申请公布后的驳回
2007-10-10 :
实质审查的生效
2007-08-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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