一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种碳化硅纳米管的制备方法，其包括以下步骤：(1)石墨片基板清洗，干燥；(2)基板催化剂溶液浸泡催化剂为Fe、Co、Ni等金属有机化合物，助催化剂为含硫有机化合物；(3)化学气相沉积气源化合物为含Si－C键且可气化的有机化合物，载气为氮气或氢气或氨气或其中至少两种的混合气，载气/气源化合物之摩尔比为4.5－7.0，气相沉积温度为800～1100℃，沉积时间0.8－1.5h；(4)纯化处理。本发明具有如下优点：制备温度低，反应过程易于控制，工艺设备简单，成本低，产量高，而且产物纯度高，尺寸分布均匀，容易实现大规模生产。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1810639A
申请号 ：
CN200610031265.3
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢征芳陶德良薛金根王军
申请人 ：
中国人民解放军国防科学技术大学
申请人地址 ：
410073湖南省长沙市德雅路正街47号
代理机构 ：
长沙星耀专利事务所
代理人 ：
宁星耀
优先权 ：
CN200610031265.3
主分类号 ：
C01B31/36
IPC分类号 ：
C01B31/36
法律状态
2010-07-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004262064
IPC(主分类) : C01B 31/36
专利号 : ZL2006100312653
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20081008
号牌文件序号 : 101004262064
IPC(主分类) : C01B 31/36
专利号 : ZL2006100312653
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20081008
2008-10-08 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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