具有光学微腔结构的绿光二极管及制备方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种具有光学微腔结构的绿光二极管及制备方法，它是以8－羟基喹啉铝、N，N′－双(1－奈基)－N， N′－二苯基－1， 1′－二苯基－4， 4′－二胺(NPD)、氟化锂、铝、金为原料，以水杨醛缩乙二胺锌为绿光发光材料，以导电玻璃氧化铟锡为发光器件的基底，以无水乙醇、甲苯、丙酮、洗洁净为清洗剂，以稀盐酸为刻蚀剂，采用两个发光单元的光学微腔结构，即15层结构，通过刻蚀导电玻璃、清洗剂超声清洗、真空干燥、精选化学物质原料，采用合理配比、真空蒸镀、冷却、检测分析，最终制得绿光二极管，绿光二极管光学微腔结构中势垒与势阱层厚度均为3nm±0.5nm，以氟化锂/铝/金做阴－阳极插层，其厚度为8nm±0.5nm，各层电压均匀一致，可储存光能，并以辐射形式释放出光，器件本身不发热，延缓了老化，提高了器件的使用寿命，本发明制备流程短，使用

基本信息

专利标题：

具有光学微腔结构的绿光二极管及制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819305A

申请号：

CN200610012473.9

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-03-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

许并社高志翔郝玉英王华马晨周禾丰刘旭光

申请人：

太原理工大学

申请人地址：

030024山西省太原市迎泽西大街79号

代理机构：

太原市科瑞达专利代理有限公司

代理人：

江淑兰

优先权：

CN200610012473.9

主分类号：

H01L51/56

IPC分类号：

H01L51/56 H01L51/54 H01L51/50 C23C14/24