激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
专利权的终止
摘要
一种用于将无定形硅膜变为多晶硅膜的方法包括下述步骤：将细长的脉冲激光束辐射到硅膜上，同时在垂直于细长的脉冲激光束的长轴的方向上扫描，从而形成多个辐射区域；在平行于长轴的方向上将平面光辐射到辐射区域上；以及分析来自辐射区域的反射光的分布，从而确定微结晶阈值。使用该阈值进一步确定用于状态改变工序的细长的脉冲激光束的能量密度。
基本信息
专利标题 ：
激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828838A
申请号 ：
CN200610009346.3
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奥村展
申请人 ：
NEC液晶技术株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙志湧
优先权 ：
CN200610009346.3
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/20 H01L21/00 B23K26/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2017-04-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101713758548
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL2006100093463
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20160228
号牌文件序号 : 101713758548
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL2006100093463
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20160228
2011-10-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101194119902
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL2006100093463
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日本电气株式会社
变更后权利人 : 格特纳基金有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国特拉华州
登记生效日 : 20110831
号牌文件序号 : 101194119902
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL2006100093463
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日本电气株式会社
变更后权利人 : 格特纳基金有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国特拉华州
登记生效日 : 20110831
2010-07-21 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003374921
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL2006100093463
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : NEC液晶技术株式会社
变更后权利人 : 日本电气株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100611
号牌文件序号 : 101003374921
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利号 : ZL2006100093463
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : NEC液晶技术株式会社
变更后权利人 : 日本电气株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100611
2009-04-22 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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