半导体激光器
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。该半导体激光器防止由于高阶模式所导致的拐点，并因此而实现高的输出水平。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822458A
申请号 ：
CN200610008584.2
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
我妻新一内田史朗
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610008584.2
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22 H01S5/343 H01S5/323
相关图片
法律状态
2015-04-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604515690
IPC(主分类) : H01S 5/22
专利号 : ZL2006100085842
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20140217
号牌文件序号 : 101604515690
IPC(主分类) : H01S 5/22
专利号 : ZL2006100085842
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20140217
2009-03-18 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1822458A.PDF
PDF下载
2、
CN100470973C.PDF
PDF下载
