利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法

专利权的终止

摘要

一种利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上光刻腐蚀出凹陷区域；步骤2：在凹陷区域内制作介质掩膜图形条；步骤3：在上述含介质掩膜图形条的衬底上同时外延生长缓冲层和有源波导层，形成介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域；步骤4：在凹陷的介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域上制作出具有同一水平上表面的平面型集成有源波导结构。

基本信息

专利标题：

利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101025458A

申请号：

CN200610007846.3

公开（公告）日：

2007-08-29

申请日：

2006-02-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱洪亮侯康平杨华梁松王圩

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

优先权：

CN200610007846.3

主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/12 G02B6/13

IPC结构图谱

G部——物理

G02

光学

G02B

光学元件、系统或仪器附注

G02B6/00

光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件

G02B6/10

光波导式的

G02B6/12

集成光路类型

法律状态

2019-02-15 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G02B 6/12
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20180221

2009-09-09 ：

授权

2007-10-24 ：

实质审查的生效

2007-08-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100538412C.PDF

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2、

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