热处理方法以及热处理装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种热处理方法及热处理装置，其不依赖于在晶片上形成的回路图案的面积、图案的设置以及构成回路的膜的材料等，可以在大致相同的热处理条件下进行热处理。将晶片(10)导入利用加热装置(4)在容器(2)内形成的处于放射平衡状态的温度空间(8)的下部低温区域(垂直方向位置B)并对其进行保持，使基板温度缓慢上升至750℃～800℃。然后，将晶片导入温度空间(8)的高温区域(垂直方向位置C)并对其进行保持，使基板温度上升至热处理温度，并且，实施规定时间的热处理。从而，可以不依赖于晶片(10)的状态(氮化硅膜、多晶硅膜的基板覆盖面积比例)，来进行均匀的热处理。
基本信息
专利标题 ：
热处理方法以及热处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822321A
申请号 ：
CN200610007750.7
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川瀬文俊柴田聪
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610007750.7
主分类号 ：
H01L21/26
IPC分类号 ：
H01L21/26 H01L21/324
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
法律状态
2014-04-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581309354
IPC(主分类) : H01L 21/26
专利号 : ZL2006100077507
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20111005
终止日期 : 20130220
号牌文件序号 : 101581309354
IPC(主分类) : H01L 21/26
专利号 : ZL2006100077507
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20111005
终止日期 : 20130220
2011-10-05 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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