晶片的激光加工方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种一种晶片的激光加工方法，将由衬底表面上层叠的膜层形成了多个器件的晶片，沿着划分该器件的多个切割道进行激光加工，激光加工该方法包括：第1激光加工槽形成工序，沿着晶片的切割道设置预定的间隔来照射对晶片来说具有吸收性的第1激光束，形成截断该膜层的两条膜剥离防止槽；以及第2激光加工槽形成工序，在通过该第1激光加工槽形成工序、沿着晶片的切割道形成的两条膜剥离防止槽之间的中央部，沿着晶片的切割道照射对晶片来说具有吸收性的第2激光束，在膜层和衬底中形成预定深度的分割槽。
基本信息
专利标题 ：
晶片的激光加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1803374A
申请号 ：
CN200610005105.1
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小林贤史
申请人 ：
株式会社迪斯科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡建新
优先权 ：
CN200610005105.1
主分类号 ：
B23K26/36
IPC分类号 ：
B23K26/36 H01L21/301
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工，例如焊接、切割、或打孔
B23K26/36
除掉材料
法律状态
2010-02-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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