有机发光显示器及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法,其中通过在形成像素分隔层之后并且在沉积有机层之前执行表面处理工艺,改进了用作像素电极的氧化铟锡(ITO)层的表面特性。形成平板显示器电极的方法包括:在基板上形成电极材料;图形化该电极材料,以形成电极图案;在该基板上形成具有沉积厚度的绝缘层;蚀刻该绝缘层,以露出该电极图案的一部分;在该绝缘层被从沉积厚度蚀刻预定厚度的条件下,执行表面处理工艺。

基本信息
专利标题 :
有机发光显示器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1828839A
申请号 :
CN200610003376.3
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2006-02-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金在中朴峻永李政烈闵卿旭
申请人 :
三星SDI株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 :
罗正云
优先权 :
CN200610003376.3
主分类号 :
H01L21/283
IPC分类号 :
H01L21/283  H01L51/56  H01L51/50  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2012-11-07 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101459030233
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2006100033763
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120928
2009-04-15 :
授权
2008-01-23 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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