半导体元件及其形成方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供半导体元件及其形成方法。一种半导体元件，包括一基底、一金属间介电层覆盖于该基底上、以及一含氮四乙氧基硅烷氧化层或一富含氧四乙氧基硅烷氧化层覆盖于该金属间介电层上。在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比。该金属间介电层包括一超低介电常数层。一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底；沉积一金属间介电层于该基底上；以及沉积一含氮或富含氧四乙氧基硅烷氧化层于该金属间介电层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959978A
申请号 ：
CN200610003186.1
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴仓聚章勋明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610003186.1
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768 H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2015-07-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101718671194
IPC(主分类) : H01L 23/532
专利申请号 : 2006100031861
申请公布日 : 20070509
号牌文件序号 : 101718671194
IPC(主分类) : H01L 23/532
专利申请号 : 2006100031861
申请公布日 : 20070509
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1959978A.PDF
PDF下载
