用于电镀工艺的晶片支撑装置和使用该装置的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种用于在半导体晶片(“晶片”)上执行电镀工艺的多层晶片支撑装置。这种多层晶片支撑装置包括底薄膜层和顶薄膜层。底薄膜层包括晶片放置区域和包围晶片放置区域的牺牲阳极。顶薄膜层被限定成放置在底薄膜层之上。顶薄膜层包括定位在待处理，即待电镀晶片的表面之上的敞开区域。顶薄膜层提供了在顶薄膜层和晶片之间围绕敞开区域的周边设置的液封。顶薄膜层还包括第一电路和第二电路，它们各自被限定围绕晶片在沿直径相对的位置上与晶片的周边顶面形成电接触。

基本信息

专利标题：

用于电镀工艺的晶片支撑装置和使用该装置的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101443485A

申请号：

CN200580048332.6

公开（公告）日：

2009-05-27

申请日：

2005-12-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

C·伍兹

申请人：

兰姆研究有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

曾祥夌

优先权：

CN200580048332.6

主分类号：

C25D17/00

IPC分类号：

C25D17/00 C25D7/12 C25D5/00