在连续在线阴影掩模沉积工序中利用选择性等离子蚀刻形成过孔...
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摘要
本发明公开一种阴影掩模气相沉积系统，在该系统中，在基板上气相沉积第一导体，在所述第一导体上气相沉积绝缘体。然后至少在所述绝缘体上气相沉积第二导体。在气相沉积所述第二导体之前或之后等离子蚀刻所述绝缘体，以便在其中限定过孔，所述第一导体的至少一部分透过所述过孔露出。经由所述过孔在所述第一导体和所述第二导体之间建立电连接。
基本信息
专利标题 ：
在连续在线阴影掩模沉积工序中利用选择性等离子蚀刻形成过孔的系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091248A
申请号 ：
CN200580045262.9
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·P·布罗迪约瑟夫·A·马尔卡尼奥
申请人 ：
阿德文泰克全球有限公司
申请人地址 ：
英属维尔京群岛托托拉岛
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾红霞
优先权 ：
CN200580045262.9
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2009-09-30 ：
授权
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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