避免高反射率界面的CMOS成像器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种图像传感器(20)及制造方法,其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a,135b),允许结合较薄的级间介质叠层(130a-130c)以导致象素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a,132b)的结构,阻挡金属层经过传感器阵列中的每个象素的光路,或者具有从每个象素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50),从而最小化反射率。即,通过进行各种阻挡或单掩模方法,在阵列中的每个象素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中,可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。
基本信息
专利标题 :
避免高反射率界面的CMOS成像器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101088165A
申请号 :
CN200580044500.4
公开(公告)日 :
2007-12-12
申请日 :
2005-12-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
J·W·阿基森J·P·甘比诺M·D·贾菲R·K·莱迪R·J·拉斯尔A·K·斯坦珀
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
于静
优先权 :
CN200580044500.4
主分类号 :
H01L29/04
IPC分类号 :
H01L29/04
法律状态
2021-03-26 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/04
变更事项 : 专利权人
变更前 : 思特威(上海)电子科技有限公司
变更后 : 思特威(上海)电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
变更后 : 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
变更事项 : 专利权人
变更前 : 思特威(上海)电子科技有限公司
变更后 : 思特威(上海)电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
变更后 : 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
2020-07-17 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/04
登记生效日 : 20200630
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 思特威电子科技(开曼)有限公司
变更后权利人 : 思特威(上海)电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
登记生效日 : 20200630
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 思特威电子科技(开曼)有限公司
变更后权利人 : 思特威(上海)电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
2018-09-14 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/04
登记生效日 : 20180827
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 思特威电子科技(开曼)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛
登记生效日 : 20180827
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 思特威电子科技(开曼)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛
2009-10-21 :
授权
2008-02-06 :
实质审查的生效
2007-12-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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