制造GaN或AlGaN晶体的方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种制造氮化镓或氮化镓铝单晶的方法和设备。本发明的特征在于，在高于晶体生长温度、但至少在1000℃的温度下对镓或镓与铝进行蒸发，以及由氮气、氢气、惰性气体或这些气体的组合构成的气流通过熔融金属的表面，从而使得所述在熔融金属表面上方的气流阻止了氮前体与熔融金属的接触。

基本信息

专利标题：

制造GaN或AlGaN晶体的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101080516A

申请号：

CN200580043154.8

公开（公告）日：

2007-11-28

申请日：

2005-10-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

阿明·戴德加阿洛伊斯·克罗斯特

申请人：

阿祖罗半导体股份公司

申请人地址：

德国马格德堡

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

宋莉

优先权：

CN200580043154.8

主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B23/00 C30B23/02

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B23/00

冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长

法律状态

2015-12-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636685953
IPC(主分类) : C30B 23/00
专利号 : ZL2005800431548
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20110608
终止日期 : 20141017

2011-06-08 ：

授权

2008-01-23 ：

实质审查的生效

2007-11-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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