硅的精制方法以及硅
专利权的终止
摘要
本发明提供精制硅的方法，该方法包括将碳(20、21)与氧化气体反应所生成的处理气吹到熔融硅(8)中的步骤，以及提供由该方法制造的硅。可将碳(20、21)装在容器(14)中，可使所述氧化气体通过该容器(14)，以及所述氧化气体可包含水蒸气和氢气中的至少一种。
基本信息
专利标题 ：
硅的精制方法以及硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076494A
申请号 ：
CN200580042544.3
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福山稔章
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
封新琴
优先权 ：
CN200580042544.3
主分类号 ：
C01B33/037
IPC分类号 ：
C01B33/037
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/037
纯化
法律状态
2014-12-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101589711051
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利号 : ZL2005800425443
申请日 : 20051005
授权公告日 : 20110727
终止日期 : 20131005
号牌文件序号 : 101589711051
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利号 : ZL2005800425443
申请日 : 20051005
授权公告日 : 20110727
终止日期 : 20131005
2011-07-27 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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