用于检测薄弱单元的SRAM测试方法和SRAM测试配置

专利申请权、专利权的转移

摘要

公开了一种方法和测试配置，用于测试具有连接在一对位线之间的第一单元和第二单元的SRAM。在第一步骤中(410)，将数据值存储在作为受测试的单元(CUT)的第一单元中，并且将其补数存储在作为基准单元的第二单元中。接下来，将位线预充电到预定电压(步骤420)。随后，例如通过向基准单元的字线提供多个电压脉冲，启用所述字线达到预定时间段。这引起了与基准单元的逻辑“0”节点相连的位线的电压降落。在随后的步骤(440)中，启用CUT的字线，将CUT暴露于电压减小的位线。这与较差地重写CUT是等效的。最后，评价CUT中的数据值。如果所述数据值已经翻转，则CUT是薄弱单元。可以通过改变上述位线上的已减小电压来检测不同薄弱水平的单元。

基本信息

专利标题：

用于检测薄弱单元的SRAM测试方法和SRAM测试配置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101065809A

申请号：

CN200580040538.4

公开（公告）日：

2007-10-31

申请日：

2005-11-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

何塞德赫苏斯·皮内达德久韦茨穆罕默德·阿兹梅恩安德烈·S·巴甫洛维奇

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200580040538.4

主分类号：

G11C29/50

IPC分类号：

G11C29/50