印花转印刻蚀
授权
摘要
一种制造微结构的方法，包括选择性活化含硅弹性体的部分表面，使该活化部分与物质接触，以及使该活化部分与物质结合，使得该表面的活化部分和与该活化部分接触的物质不可逆地连接。通过在该含硅弹性体的表面上配置掩模以及用UV射线照射该露出部分可以实现这种选择性活化。
基本信息
专利标题 ：
印花转印刻蚀
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101061432A
申请号 ：
CN200580039211.5
公开（公告）日 ：
2007-10-24
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉尔夫·G·努若威廉·R·蔡尔兹迈克尔·J·莫特拉李健在
申请人 ：
伊利诺斯大学理事会
申请人地址 ：
美国伊利诺斯州
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁兴龙
优先权 ：
CN200580039211.5
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2012-05-23 ：
授权
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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