发光二极管元件、发光二极管用基板及发光二极管元件的制造方...
专利权的终止
摘要

本发明的发光二极管元件是由光转换材料基板和在该光转换材料基板上形成的半导体层构成的发光二极管元件,其特征在于,上述光转换材料基板由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少二种以上的氧化物相连续地且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成,该凝固体中的氧化物相中至少一种含有发荧光的金属元素氧化物;上述半导体层由多个化合物半导体层构成,至少具有发出可见光的发光层。提供与发光二极管形成用半导体在结晶结构上的共格性好、能够使缺陷少的良好的半导体层成膜、从在半导体层内形成的发光层能够得到效率好的发光,同时利用来自半导体层中的发光层的光也发出均匀的荧光、并且能够高效率地取出光的用于形成半导体的发光二极管用基板及使用该基板的没有色不匀的发光二极管元件。

基本信息
专利标题 :
发光二极管元件、发光二极管用基板及发光二极管元件的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101044635A
申请号 :
CN200580036032.6
公开(公告)日 :
2007-09-26
申请日 :
2005-10-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
三谷敦志坂田信一藤井一宏
申请人 :
宇部兴产株式会社
申请人地址 :
日本山口县
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
王健
优先权 :
CN200580036032.6
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2018-10-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20090624
终止日期 : 20171020
2009-06-24 :
授权
2007-11-21 :
实质审查的生效
2007-09-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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