等离子体CVD装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供等离子体CVD装置，其具备供给含有硼嗪骨架的化合物的设备(5)、为了发生等离子体的等离子体发生器、在设置基板(8)的电极(7)上施加负电荷的设备(2)。根据这样的本发明，可以提供长期稳定地获得低介电常数和高机械强度，同时降低在加热膜时放出的气体成分(脱气)量，在器件制造工艺上不引起不适宜情况的等离子体CVD装置。
基本信息
专利标题 ：
等离子体CVD装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044603A
申请号 ：
CN200580035904.7
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
熊田辉彦保田直纪信时英治松本纪久松野繁
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN200580035904.7
主分类号 ：
H01L21/312
IPC分类号 ：
H01L21/312 H01L21/31 H01L21/768 C23C16/38 C23C16/509
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312
有机层，例如光刻胶
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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