主盘基板及制造高密度浮雕结构的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种用于获得高密度浮雕结构的记录堆栈，其包括：第一记录层(10)，其在第二记录层(20)上面，所述记录层由基板层(14)支持，其中，当将光投射到记录层时，根据相对于记录层的化学剂的局部变化，记录层的局部相互作用产生标记(16)。本发明还涉及制造浮雕结构的方法以及生产光学数据载体的方法。
基本信息
专利标题 ：
主盘基板及制造高密度浮雕结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044564A
申请号 ：
CN200580035769.6
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·R·迈因德斯R·A·洛克
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN200580035769.6
主分类号 ：
G11B7/26
IPC分类号 ：
G11B7/26
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B7/00
用光学方法，例如，用光辐射的热射束记录用低功率光束重现的；为此所用的记录载体
G11B7/24
按形状、结构或物理特性或所选用的材料区分的记录载体
G11B7/26
专用于记录载体制造的工艺方法或设备
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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