曝光装置以及曝光方法
授权
摘要

一种曝光装置以及曝光方法,使靶材料等离子化,并产生脉冲光,以脉冲光进行曝光。本发明的特点是包括:发光机构,使间歇性供应的靶材料等离子化而产生脉冲光;标线片载物台,具备照射脉冲光的标线片;感应基板载物台,配置有照射于标线片经过图案化的脉冲光的感应基板;控制机构,在开始对感应基板上进行曝光前,依据感应基板载物台的驱动时序及脉冲光的发光时序,使曝光开始点或者曝光结束点与发光时序一致的方式,控制感应基板载物台。本发明即使在曝光用光源中,使用使靶材料等离子化而产生的脉冲光的情形时,也能获得良好的曝光量均一性。

基本信息
专利标题 :
曝光装置以及曝光方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101015038A
申请号 :
CN200580028236.5
公开(公告)日 :
2007-08-08
申请日 :
2005-11-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
近藤洋行宫地敬
申请人 :
株式会社尼康
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
左一平
优先权 :
CN200580028236.5
主分类号 :
H01L21/027
IPC分类号 :
H01L21/027  G03F7/20  G21K5/02  H05H1/24  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2009-07-01 :
授权
2007-10-03 :
实质审查的生效
2007-08-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101015038A.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332