用于静电放电保护的多叠层电源箝位电路
专利权的终止
摘要
提供了一种用于提供静电放电(ESD)保护以增强高级亚微米工艺的性能的多叠层电源箝位电路。该箝位电路包括带有低漏电流和高电流驱动容量的偏压发生器，以及通过降低的栅极漏电流来减轻该偏压发生器上的电流负载的装置。该偏压发生器包括差分放大器。该多叠层箝位电路在新的工艺技术中提供了带有优化的漏电流、降低的对工作条件的敏感性、以及增加的栅极电流容限的耐压ESD保护。
基本信息
专利标题 ：
用于静电放电保护的多叠层电源箝位电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1981379A
申请号 ：
CN200580022641.6
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·马洛尼S·普恩
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈斌
优先权 ：
CN200580022641.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-09-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20190929
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20190929
2009-04-15 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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