薄膜晶体管的制作方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，可应用在逆交错型和交错型的薄膜晶体管结构。制作逆交错型薄膜晶体管的方法包括在基板上，形成栅极电极、栅极绝缘层、有源通道、漏极电极和源极电极。此方法强调使用金属氧化物或II－VI化合物半导体和低温化学浸浴沉积，来形成有源层。在化学浸浴沉积的过程里，经由控制溶液温度与PH值，有源通道层选择性地被沉积在浸浴于溶液里的基板上。本发明的优点包括低的沉积温度、有选择性沉积、无基板大小的适用限制和低制造成本。低的沉积温度容许使用柔性基板，例如塑料基板。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1881549A

申请号：

CN200510137737.9

公开（公告）日：

2006-12-20

申请日：

2005-12-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郑华琦李正中萧名男

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

中国台湾新竹县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

优先权：

CN200510137737.9

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336