一种高临界电流密度MgB2基超导体...
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摘要
本发明涉及一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法。其特征在于该超导体为在MgB2基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物。制备过程为首先将干燥的镁、硼、锆和碳粉末按比例充分混合1－2小时，将混合后的粉末成型，然后置于真空退火炉中，在纯氩气或氩气与氢气的混合气保护下，在740℃－760℃的温度下保温1－10小时，最后冷却至室温，制成高临界电流密度的MgB2基超导体。采用碳和金属锆作为助烧剂，碳、锆及其化合物弥散分布在最终获得的MgB2基超导体中，使最终形成的MgB2晶粒细化，有效强化了MgB2晶粒连接。本发明的方法制备成本低，同时引入了第二相粒子，有效改善了MgB2基超导体的磁通钉扎。
基本信息
专利标题 ：
一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812000A
申请号 ：
CN200510132726.1
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫果冯勇卢亚锋李成山纪平吴怡芳王庆阳
申请人 ：
西北有色金属研究院
申请人地址 ：
710016陕西省西安市北关方新村西安市51号箱
代理机构 ：
中国有色金属工业专利中心
代理人 ：
李迎春
优先权 ：
CN200510132726.1
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01B13/00 H01L39/12 H01L39/24 C01F5/00 C01B35/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2007-12-12 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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