抛物柱面波导型准直透镜和可调外腔激光二极管
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种半导体基的抛物柱面波导型准直透镜和单片集成型可调外腔激光二极管光源。单片集成型可调外腔激光二极管光源包括用于产生光信号增益的增益媒质、用于把发散光束校正为平行光束的准直透镜、平行光束通过其传播的无源波导、通过响应于外部电信号改变位于通过条形波导传播的平行光束的传播通路上的媒质的折射率而改变所述平行光束的传播方向的光反射器，其中这些部分集成在一个由InP基半导体和例如GaAs基半导体、Si基半导体、LiNbO3基半导体等材料制成的衬底上。
基本信息
专利标题 ：
抛物柱面波导型准直透镜和可调外腔激光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1874093A
申请号 ：
CN200510131613.X
公开（公告）日 ：
2006-12-06
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金铉洙沈恩德
申请人 ：
韩国电子通信研究院
申请人地址 ：
韩国大田市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510131613.X
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/14
法律状态
2015-02-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101597013518
IPC(主分类) : H01S 5/20
专利号 : ZL200510131613X
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20120328
终止日期 : 20131215
号牌文件序号 : 101597013518
IPC(主分类) : H01S 5/20
专利号 : ZL200510131613X
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20120328
终止日期 : 20131215
2012-03-28 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2006-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
