基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
专利权的终止
摘要
本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
基本信息
专利标题 ：
基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983509A
申请号 ：
CN200510126469.0
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐军章蓓张振生代涛
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京君尚知识产权代理事务所
代理人 ：
俞达成
优先权 ：
CN200510126469.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L33/00 H01S5/10 H01S5/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2013-02-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101392924911
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101264690
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20111213
号牌文件序号 : 101392924911
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101264690
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20111213
2008-12-31 ：
授权
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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