具有大绝对带隙的二维光子晶体
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种在第五能级之下的低频区域拥有大绝对禁带的正方晶格二维光子晶体。与通常人工设计的光子晶体原胞有所不同，原胞被分割为10×10个包含高折射率和低折射率介电材料的正方形象素结构，高折射率介电材料和低折射率介电材料以一定的规律分布在原胞的象素中，具体为，其中1代表高折射率介电材料，0代表低折射率介电材料。本发明的原胞结构满足反演对称性。当晶格常数a取1μm时，本发明在硅/空气的材料背景下得到的第五能级之下的绝对禁带的相对值为10.28％。
基本信息
专利标题 ：
具有大绝对带隙的二维光子晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1978716A
申请号 ：
CN200510126323.6
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龚春娟胡雄伟
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200510126323.6
主分类号 ：
C30B29/64
IPC分类号 ：
C30B29/64 H01S5/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/60
以形状为特征的
C30B29/64
平面晶体，例如板状、窄条状、或圆盘状晶体
法律状态
2018-11-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 29/64
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20081008
终止日期 : 20171207
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20081008
终止日期 : 20171207
2016-03-30 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101730257268
IPC(主分类) : C30B 29/64
专利号 : ZL2005101263236
变更事项 : 专利权人
变更前 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更后 : 河南仕佳光子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
变更后 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
号牌文件序号 : 101730257268
IPC(主分类) : C30B 29/64
专利号 : ZL2005101263236
变更事项 : 专利权人
变更前 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更后 : 河南仕佳光子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
变更后 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
2011-06-29 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101109505515
IPC(主分类) : C30B 29/64
专利号 : ZL2005101263236
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院半导体研究所
变更后权利人 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
变更后权利人 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
登记生效日 : 20110519
号牌文件序号 : 101109505515
IPC(主分类) : C30B 29/64
专利号 : ZL2005101263236
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院半导体研究所
变更后权利人 : 河南仕佳光子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
变更后权利人 : 458030 河南省鹤壁市淇滨区黎阳路与衡山路交叉口西北角(民营工业园科技巷中段)
登记生效日 : 20110519
2008-10-08 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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