半导体器件及制造该器件的方法

专利权的终止

摘要

本文本公开的是一种半导体器件，具有作为形成构造区域的岛半导体薄膜作为源极或漏极区与岛半导体薄膜的侧面接触的半导体薄膜以及制造该半导体器件的方法。由于制造供沟道形成区用的岛半导体薄膜和供作为源极或漏极的半导体薄膜不使用掺杂装置，制造成本得以降低。源极区或漏极区与作为沟道形成区的岛半导体薄膜的侧面接触，耗尽层不仅在薄膜的厚度方向而且横的方向上加宽了，从而由漏极电压形成的电场减弱了。因此可以支撑具有高度可靠性的半导体器件。

基本信息

专利标题：

半导体器件及制造该器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790741A

申请号：

CN200510118808.0

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

本田达也

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

李玲

优先权：

CN200510118808.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/786 H01L21/336