多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底的制备方法

专利权的终止

摘要

一种多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底的制备方法，属生物、材料与微电子多学科交叉的技术领域。该方法包括羟基磷酸钙凝胶的制备，将羟基磷酸钙凝胶涂布在多孔硅片上和经高温处理三个步骤，制得多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底。该方法有制备工艺简单，易于实施，成本低的优点。此外，该方法的产品性能好：复合衬底的羟基磷酸钙层与多孔硅层结合牢固和复合衬底具有高的生物活性和生物相容性，特别适合于作生物芯片、可植入人或动物体内的传感器和电子电路芯片的衬底。

基本信息

专利标题：

多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819114A

申请号：

CN200510112156.X

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2005-12-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈少强朱自强朱建中

申请人：

华东师范大学

申请人地址：

200062上海市中山北路3663号

代理机构：

上海德昭知识产权代理有限公司

代理人：

程宗德

优先权：

CN200510112156.X

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 G01N33/48 C12Q1/00 C12Q1/68 A61L31/12 A61L31/16