在集成电路的制造中清洁背部蚀刻的方法

专利权的终止

摘要

一种制造半导体衬底的方法。包括提供具有上表面、背部表面和围绕半导体晶片的外周的边缘区域的半导体晶片。在优选实施例中，上表面通常用于集成电路器件元件本身的制造。该方法包括使半导体晶片经受一个或多个工艺步骤以在背部表面上形成一个或多个材料膜、安装半导体晶片以暴露背部表面、以圆形的形式转动半导体晶片。在一个特定实施例中，该方法包括当半导体晶片转动时至少在背部表面上供应含有含氟成分、硝酸成分、表面活性剂成分和有机酸成分的酸性溶液。该方法引起从背部表面去除一种或多种污染物，而当半导体晶片以圆形的方式转动时背部表面的中间区域的一部分仍然暴露。

基本信息

专利标题：

在集成电路的制造中清洁背部蚀刻的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979771A

申请号：

CN200510111385.X

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

常延武林德成

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

陈红

优先权：

CN200510111385.X

主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/306 H01L21/311 H01L21/3213

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

法律状态

2019-11-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20181205

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259320040
IPC(主分类) : H01L 21/306
专利号 : ZL200510111385X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2008-12-10 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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