操作电荷捕捉非易失性存储器的方法及装置
授权
摘要
通过在存储器单元的衬底区域与存储器单元的源极区域及存储器单元的漏极区域中至少一个之间测量电流，来操作一种具有电荷捕捉结构的存储器单元。当存储器单元结构的其它部分储存不相关的信息时，读取作业将不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合减少。通过该读取作业，存储器单元的感测范围可以显著地改善。通过增加存储器单元上的净正电荷以擦除存储器单元，而通过增加存储器单元上的净负电荷以编程存储器单元。
基本信息
专利标题 ：
操作电荷捕捉非易失性存储器的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949520A
申请号 ：
CN200510108648.1
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶致锴蔡文哲卢道政
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200510108648.1
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L21/8247 G11C16/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-02-18 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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