制造半导体器件的方法及移除间隙壁的方法
授权
摘要
本发明揭示一种制造半导体器件的方法，其包括于一半导体衬底上定义一电极；于电极的至少一侧壁上形成一间隙壁；于半导体衬底上进行一工艺操作，工艺操作使用间隙壁作为掩模并于半导体衬底与电极的顶部或表面产生一物质层；以及移除间隙壁的步骤。其中，移除间隙壁的步骤包括使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对间隙壁进行湿式蚀刻工艺。另一方面，还揭示一种半导体工艺中移除间隙壁的方法，是使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对半导体工艺中的间隙壁进行湿式蚀刻工艺。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的方法及移除间隙壁的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949466A
申请号 ：
CN200510106798.9
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李忠儒吴至宁萧维沧
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106798.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2008-10-08 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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