动态随机存取存储器及其制造方法
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摘要
一种动态随机存取存储器，包括衬底、有源元件与深沟渠式电容器。衬底具有沟渠与深沟渠。有源元件设置于衬底上，此有源元件包括栅极结构与掺杂区。栅极结构设置衬底上，且填满沟渠。掺杂区设置于栅极的第一侧的衬底中。深沟渠式电容器设置于栅极的第二侧的该衬底的该深沟渠中，第二侧与第一侧相对，且深沟渠式电容器的上电极邻接沟渠底部。
基本信息
专利标题 ：
动态随机存取存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949519A
申请号 ：
CN200510106792.1
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
简荣吾
申请人 ：
茂德科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾新竹科学工业园
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106792.1
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2008-12-24 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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