半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置是包含一主动区，其通过使用一第一金属硅化物形式，形成于一基底上；以及另一主动区，其通过使用另一金属硅化物形式，形成于一基底上。该两种金属硅化物形式是相异，而且其中至少有一是一金属合金硅化物。一蚀刻停止层可以覆盖至少一金属硅化物区。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770450A
申请号 ：
CN200510105192.3
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林俊杰李文钦杨育佳胡正明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510105192.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/092 H01L21/82 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-02-11 ：
授权
2006-07-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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