N－型硅片上制造太阳能电池的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供用N－型硅片制造太阳能电池的方法，实质上是，在N－型硅晶片正面上丝网印刷铝浆料，通过干燥和焙烧所印刷的铝浆料，在N－型硅片正面上形成铝膜，在N－型硅片中引入三价的杂质铝，在N－型硅片正面上形成P+阱。N－型硅片正面与其上形成的P+阱之间形成PN结。然后用制造太阳能电池的传统工艺制造太阳能电池。
基本信息
专利标题 ：
N－型硅片上制造太阳能电池的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941426A
申请号 ：
CN200510030012.X
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏晓平江彤
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海新高专利商标代理有限公司
代理人 ：
楼仙英
优先权 ：
CN200510030012.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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