微流控芯片介电层质量检测方法

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摘要

本发明公开了一种微流控芯片介电层质量检测方法，包括:S1，在微流控芯片的介电层上设置疏水层；S2，在疏水层上设置导电溶液层；S3，将微流控芯片的背部电极和导电溶液层导通电源，加载电压后观察介电层是否有缺陷现象；所述缺陷现象包括导电溶液层产生气泡、变色，介电层产生电火花、漏电流突增中的至少一种；通过在介电层上设置疏水层，在疏水层上设置导电溶液层对待测试电极区域通电检测，只要在测试过程中出现导电溶液层产生气泡、变色，介电层产生电火花、漏电流突增中的至少一种，说明介电层有缺陷，本检测方法操作简单，检测效率高，可以进行大面积检测。

基本信息

专利标题：

微流控芯片介电层质量检测方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113070112A

申请号：

CN202110448964.2

公开（公告）日：

2021-07-06

申请日：

2021-04-25

授权号：

CN113070112B

授权日：

2022-06-14

发明人：

杨柳青刘永强张东锋赵克丽郝茂垒李超王超刘聪

申请人：

安图实验仪器（郑州）有限公司

申请人地址：

河南省郑州市郑州经济技术开发区经开第十五大街199号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

豆贝贝

优先权：

CN202110448964.2

主分类号：

B01L3/00

IPC分类号：

B01L3/00